CSD23202W10

N/A
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Brez svinca / RoHS
Diskretnih polprevodniških proizvodov

1. Prosimo, da ob naročilu potrdite podrobnosti, ki vključujejo številko dela in proizvajalca izdelkov.
2.Če imate seznam gradiva (BOM), morate navesti citat. Lahko nam ga pošljete na naše e-pošto.
3.Možete nam poslati e-pošto, da spremenimo podrobnosti naročila pred odpremo.
4.Poročil po pošiljanju paketov ni mogoče preklicati.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Najmanj:1; Množice:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Specifikacije
Mnenja
Plačilo
Dostava
Pakiranje

Vgs (th) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Vgs (Max):	-6V
Tehnologija:	MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja:	4-DSBGA (1x1)
Serija:	NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Odmik moči (maks.):	1W (Ta)
Pakiranje:	Tape & Reel (TR)
Paket / primer:	4-UFBGA, DSBGA
delovna temperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže:	Surface Mount
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds:	512pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
Vrsta FET:	P-Channel
Funkcija FET:	-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena):	1.5V, 4.5V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss):	12V
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C:	2.2A (Ta)